> Техника, страница 42 > Детектор

Детектор

Детектор, в о л н о у к а з ат е д.ь, или волноуловитель, в радиотехнике — прибор для целей радиоприема, предназначенный для преобразования весьма малых количеств принятой от сигнала энергии в вид, необходимый для приведения в действие какого-либо индикатора электрич. колебательных токов: телефона, измерительного прибора или реле. Ни один из существующих индикаторов не реагирует непосредственно на весьма малый (несколько μ А) ток высокой частоты, принятый приемником от электромагнитной волны сигнала.

Первонача л i, н ы е Ф о р м ы Д. В первых опытах Мар кони и Попова в 1895—96 гг. в качестве Д. применялся т. и. когерер» или фриттер (немецк. термин). В 1902 г. фирмой Маркони были окончательно разработаны два образца так называемым магнитного Д. Принцип действия этого Д. заключается в том, что токи высокой частоты сигнала, в случае прохождения их но виткам катушки, окружающей кусок железа, при действии на последний увеличивающегося магнитного поля, содействуют процессам намагничивания этого железа, а при действии на него уменьшающегося ноля ускоряют процессы раемагничцианин. Чувствительность магнитного Д. была значительно выше чувствительности когерера: предельная энергия от сигнала, на которую при хорошем телефоне уже реагировал магнитный Д., оценивалась в 2,5· 10 ¹⁰ W. Маркони в 1904 г., при первых регулярных передачах через океан, удалось помощью магнитного Д. заставить действовать реле и получить автоматическую запись сигналов. Этот детектор все же был сложен и имел ряд других недостатков.

В 1903 г. был предложен электролитический Д. действие которого основано на изменении поляризации электролитического элемента (с электродами из тонн, платиновых проволочек в 0.006 миллиметров. помещенных в раствор серной или азотной кислоты) под влиянием весьма слабой эдс от сигнала.

Предельная энергия сигнала, на к-рую Д. реагирует, 10^-,в W.

При C IO^-10 W, при хорошем телефоне, детектор дает единицу слышимости (различаемо-сти точек и тире).

Затем был предложен ряд детекторов с термическим действием: т е р м о г а л ь в а-

нометр, барреттер (смотрите).— термодетекто р и ряд других.

Все упомянутые выше виды Д. во всех отношениях были несовершенными и в дальнейшем были заменены более простыми и более надежными в действии Д.: 1) кристаллическими и 2) ламповыми, которые после ряда усовершенствований используются и современной техникой радиоприема: первыми—главным образом в простейших приемниках, предназначенных для радиовещании. вторыми -во всех более сложных приемниках, предназначенных для радиовещания, и в приемниках, предназначенных для коммерческой окс-плоатяции, обыкновенно очень СЛОЖНЫ х. с большим числом усилительных ламп.

Криста л л и ч е-с к и и Д. (в этой статье описываются только кристаллические Д.; о ламповых детекторах см. Лампа электрон-пин). Кристаллический детектор состоит из двух соприкасающихся разнородных электропроводящих тел (кристаллических или аморфных). Так как, однако, большинство проводников и полупроводников при соприкосновении дают детекторное действие, то было бы правильное этот вид Д. назвать контакт» ы м. Впервые детекторное действие кристаллических тел было изучено Ψ. Брауном. В дальнейших исследованиях было также установлено, что нек-рые металлы при контакте обнаруживают детекторную чувствительность, но в общем она, как и постоянство действия, значительно ниже у них, чем у других кристаллических Д.

Наиболее пригодными для Д. оказываются следующие тела: 1) э л е м е н т ы: углерод (С), кремний (Si), теллур (Те); 2) с о е-д и н е н и я: а) окиси цинка (с марганцем),

о б п а р у ж ивающве действие. детей торное

eg· У в.	Минерал	Формула	Детекторное действие	Твер дость
1	Галенит (гален, га-		Минералы, oco-
	лена, или свиицо-		беи но пригодные
	вый блеск).	I’bS	для раднотехниче-	1,5—2.5
2	Бурнонит.	CuPbSbS, или	ских детекторов	2,5—3
		2Pb3-Cu,.3-Sb,S,
3	Пирит (железный
	колчедан).	FeS,		6—6,5
4	Фрейслебснит.	5(Pb, Ag,)S-2Sb,S,		6—6,5
δ	Джемсонит.	FeS-3Sb,S»-4PbS		2,5
6	Карборунд.	SiC		9,5
7	Цинкит (красная
	цинковая руда).	ZnO или (Zn, Mn)0		4—4,5
8	Кремний.	Si		9
9	Теллур.	Те		2—2,5
10	Алтаит.	PbTe		3—3.5
11	Нагьягит.	(PbAu)Te или		1—1,15
		Au,Sb.PbI0Te,S:,
12	Касситерит (оловян-
	шли камень).	SnO,		6—7
η	Теннантит.	5 Cn,S-2 ZnS-2 As,S,	М инералыспло-	4
14	Новеллин.	CuS	хим детекторным	1,5—2
15	Гематит.	Fe,0,	действием, при-	5,5—6,5
16	Графит.	c	годны для выпря-	1
17	Ильменит.	FeTiO,	мления больших	5—в
19	Халькозин.	Cu,S	токов при доп О л-	2,8—3
19	X ал копи рот (мед-		нительном наиря-
	ный пирит).	CuFeS,	женин	3.5—4,5
20	Магнетит.	Fc,0.		5.5—6
21	Молибденит.	MoS,		1—1,5
22	Стромейерит.	Ag,S-Cu,S		2,5—3
23	Анатаз.	1 K),		5,5—G
24	Станнит.	Cu.FeSnS,		4
25	Тетраэдрит.	•l Cu.S-Sb,S«	Минералы с вс-	3.5—4
26	Арсенопнрит.	FeAsS	сьма плохим до-	5,5—6
27	Пиролюзит.	MnO, или	те игорным денет-	2—2*5
		MnO, (+nH,0)	внем, пригодны
28	Борнит.	FeCn,s,	для выпрямления	3
29	Франклииит.	(Fc.In.Zn)O,	больших токов	6—6,5
		(Fe.Mn).o, или	при доиолнитель-
		(Fe.Zn.MiDFe.O,	ном напряжении
30	Манганит.	Μη,ο,.ιι,υ		4
31	Испломелаи (разно-
	видн. манганита).	I MnO,·(I.i-,Ba,K,)0		5—6
		• nH,0
32	Гсрсдорфит.	(Ni.Ie)AsS ИЛИ	Минералы, де-	5,5
		NiAsS	тектирующие пло-
; 33	Смальтин.	(Co,Ni,Fe)As или	хо и только лишь	5,5—6
		Co ASj	при дополнит, на
1 34	Висмутин.	BljS,	пряжении	2—2.5
i 35	Пирротин.	Fe,S, пли FenSn.,		2,5—4.5

олова, железа, марганца, церия,титана, циркония, тория, меди (поверхность окиси), никеля н т. д.; б) сернистые—свинца, железа, меди (галенитовая и пиритовая группы); в) теллуристый свинец; г) нек-рые сложные соединения карбида и а, то есть тела, принадлежащие гл. обр. к IV и VI (а отчасти к VIII) группам период, системы элементов. Это, а также и то, что употребляемые в детекторе кристаллы имеют кубическую или гексагональную структуру, указывает, что детекторное действие их обусловлено определенным атомным строением. В табл. 1 приведены минералы, которые обнаруживают детекторное действие; из них только первые 12 минералов хорошо детектируют без дополнительного постоянного напряжения, а потому наиболее пригодны для радиодетекторов. В графе 4-й табл. 1 приведены также относительные величины твердости всех детекторных материалов. Сопоставление данных этой графы и графы 3-й для одних и тех же кристаллов показывает, что никакой явной зависимости между твердостью кристаллов и их детекторным действием не существует. Однако, твердость кристалла определяет собою: 1) тот другой материал, в контакте с которым работает данный кристалл, и 2) силу нажатия контакта. Твердый кристалл должен работать в контакте также с твердым; например: карборунд, кремний, пирит — со сталью или фосфористой бронзой. Мягкий кристалл работает лучше с мягким; например, гален, молибденит—с золотом, серебром или со свинцом. Если кристалл работает в паре с металлом, то последний устанавливается обычно в виде пружинящего острия; если же кристалл работает в контакте также с кристаллом, то оба должны иметь одинаковую твердость. Напр., хорошее детекторное действие дает цинкит в контакте с хпиритом: это— т. н. перикон-Д., предложенный Пиккаром.

Наилучшими детекторны м и п а-р а м и являются:

гален —латунь » —графит

» —теллур

НИН кит — халнмм рпт » —теллур » —графит пирит —золото » —алюминий

» —окись цинка х пирит—алюминий карборунд —латунь

» —нейзильбер теллур

»

кремний

— медь

— алюминий —кремний

— алюминий

— золото

— окись цинка

Для повышения чувствительности дополнительное напряжение должен быть включено так. образом, чтобы полярность его совпадала с направлением выпрямленного тока в Д., то есть с полярностью кристалла. Полярность кристалла называется положительной, если выпрямленный ток в контакте течет по направлению от кристалла к металлу (острию). Большинство кристаллов дают обычно постоянную полярность:

Название	Поляр ность	Название	Поляр ность
Пирит.	—	Теллур.	—
Станнит.		Касситерит.	—
Ковеллип.	+	Магнетит.	4-
Кремний (перс		Ильменит.	4-
плавленный).	4-	Бурнойит.	—
Карборунд. Графит.	4-	Фрейслебенит	4-

Лишь очень немногие кристаллы дают различную полярность в рази, точках (табл. 2):

Таблица 2. — Полярность кристаллов.

Название	В направлении 4-	В направлении —
	Выпрямленный ток в ΙΠΑ
Гален ..	0.25	0.75
Молибденит..	0,5	0.1
Цинкит..		1—1,5
Стромейерит ..	0.3	0.1
Джемсоинт..	0,75	0.25

Чувствительность кристаллнческ. Д. зависит также: 1) от состояния верхней рабочей поверхности кристалла и 2) от ί°. Рабочая поверхность металлов Д. должна быть чистой, а применяемые металлы и минералы не должны химически изменяться и разрушаться атмосферой. С повышением 1° контакта детекторное действие кристалла улучшается, причем это улучшение происходит до определенной для каждого металла t°_Kpum_.

Наиболее употребительными в практике радиоприема Д. являются: 1) и е р и к о н, к-рый состоит из цинкита и хпирита, 2) карборундов ы и Д. со стальным острием и В) гален с латунным острием.

Чувствительность естественных кристаллов зависит от заключающихся в них примесей. Галеновые искусственные кристаллы обнаруживают ббльшую чувствительность, чем естественные, и дают в 2 раза больший детекторный ток. Чувствительность естественного галена может быть значительно поднята небольшой прнмесыо сернистого серебра (или сернистого алюминия).

Производство искусственных кристаллов. Искусственный гален можно получить обжигом естественного галопа при температуре близкой к его <°пд. (120°) в нейтральной атмосфере, в серных парах или в парах со следами селена. Можно также получить его размельчением естественного кристалла в порошок, который плавят вместе с серой в закрытом тигле в течение 20—30 минут, а затем эту расплавленную массу медленно охлаждают. Искусственный гален м. б. изготовлен и без переработки естественного кристалла, из свинца и серы. Для этого сначала плавят свинец (327°), прибавляют серу и полученную массу после охлаждения размельчают в порошок. Затем прибавляют 10% серы и 1— 2% серебра и в расплавленном состоянии всю массу смешивают. Гален м. б. получен также плавлением 93% сернистого свинца и 5—7% свинца и рядом других методов. Синтетические кристаллы, как правило (смотрите табл. 3), в большинстве случаев дают лучшие условия работы, чем естественные; поэтому в настоящее время на их производство обращено очень большое внимание.

Теория действия кристал. Д. основывается патом, что их контакты дают нелинейную зависимость между прикладываемым к ним напряжением (от сигнала) и током, к-рый они через себя пропускают, то есть выпрямленным током. Кривая, показывающая зависимость между приложен» к Д. напряжением и выпрямленным током, называется детекторной характеристикой. Па фигура 1,2 и 3 показаны характеристики

Т а С л. 3.—С р е д н и е данные р а б о.т ы детектора с естественными и сннтстиче-

с к и мн кристалла м и-

Детектор с кристаллами	Число	точек, дающих прием (в % от общего числа)			Отношение сопротивлений в разные стороны детекторного контакта при принимаемом напряжении Е:				Число точек из ίο. дающих уменьшение чувствительности при мешающем действии
	отличи.	хорош.	удовл.	плохой	10 V	1 V	0,5 V	0,1 V
Галоп естествен-
ный.	43	21	16	и	3,5	3,5	4,1	8	среди. =4,3
	(90-7-28)			(6-4-18)					(1-4-8)
Гален сиптетиче-
ский.	74	17	4,5	2,5	1,4	1,8	3,5	5	среди.=0,57
	(92-4-64)			(0—г-22)					(0-4-2)

трех наиболее распространенных Д.—гале-нового. карборундового и пери кон-детектора. Действие Д. в какой-либо схеме или цепи определяется: 1) со- Посп1.ток противлением, включенным в эту цепь, и 2) его детекторной характеристикой.

Дейстнительн. фи-зическ. причины выпрямляющего действия кристаллич. Д. в настоящее время не могут считаться окончательно вскрытыми. Все теории, которые это явление объясняют, м. б. разделены на две группы:!) теории, предполагающие, что по время воздействия на Д. переменного напряжения сигнала в контакте под влиянием или

Ток еысокоо частоты λ-400м R-0

Ρ·500Ω

ае ιόν Прикладые напряжение

Фиг. термоэлектричества, или электрическ, поляр-ности, или эффекта Джоуля возникает некоторая постоянная эдс; 2) теории, объясняющие неравенство сопротивлений контакта в разных направлениях без помощи постоянной эдс (теория фильтра)—действием промежуточного слоя (проводящего или диэлектрического) или же электролитическ. или электронными процессами в контакте. Есть основание считать, что все физич. действия, предполагаемые этими теориями, происходят одновременно, но наибольшую роль, вероятно, играют электронные процессы и термоэлектрические явления.

Схема обычного действия кристаллич. Д. изображена на фигуре 4, на которой показано также принятое условное схематическое изображение ^J

Д. Для упрощения предполагаем сначала, что сопротивле- ^г

ниев цепи нагрузки 2=0. Детекторная характеристика м. б. математически выра-

жена ур-ием г =/(е), _{ν έ 3}

показывающим нелп- Дочинит, напряжение нейную зависимость ф_ИГ. 2.

i от е. Если в цепи Д.

действует дополнительное напряжение Е₀, то в отсутствие сигнала через Д. проходит ток При действии эдс сигнала

e—E-s nu>l, i= f (Ep+E-sjn ωί); при этом

постоянный ток изменится от 1 до J-f М. а г

I + ΔI=ψ J (Е₀ + Е sin ωί) dt,

о где Г=^. Функция f(E_u+E sin ωί) м. б. разложена в ряд Тейлора; тогда т

I + М -У /[/(Е₀) + ·Ε· sin ωί +

+ ;

Ε~ · sin- ωί -j- .J dl ~

(14 2 de’

=/(£„)

Следовательно, в цепи с Д. синусоидальная эдс вызывает постоянную слагаемую, другую слагаемую—с основной частотой и ряд высших гармонических слагаемых. Для рассматриваемого случая детектирования (прием незатухающих колебаний) представляет интерес только постоянная составляющая, называемая выпрямленным током. Для малой Е, что обычно и имеет место в практике радиоприема, членами порядка выше второго можно пренебречь. Тогда получим след, зависимость:

дд=¹. ^dH. Ш - 4 de ^J ’

т. e. изменение тока обусловливается только членом 2-го порядка. Если Е велика, то необходимо ввести и все члены высшего порядка.

Для малых Е кривая детектирования (ее начало) м. б. представлена параболической формой. Для больших Е апали-тическ. метод определения М вообще представляет большие затруднения,а потому вычисление М лучше вообще

Ц2 0,6 0,6 !,0

Фпг. 3.

Детектор

—к—

$

eL.sJnwt

Γ-τΖ

—Φϊ

Фиг. вести графическим методом, исходя из экспериментально снятых характеристик. Для очень больших Е характеристика м. б. представлена прямой линией. В этом случае

Δί «= ~^ι- (Е · sin ωί — Eq).

Возвращаясь к первоначальному уравне-ншо, обозначим -_jc, через I),·, где Б_; — коэфф. детектирования для тока. Помножив М на B_d(сопротивление Д.),

получим:

de

1 dⁱi

Е₀=-j f- Е^г=D_c Е^г,

de

dH dTt(i 1 de* de

где -D.=—гг-= —потенциальны!! коэф-

4 ut

de

фициеит детектирования.

На фигуре 5 графически изображены процессы рассмотренного случая детектирования. Если в детекторную цепь включено

нек-рое сопротивление нагрузки, что обычно имеет место в практике, то М определяется из следующего ур-ия, получаемого тем же методом, что и приведенное выше:

чт · h,у¹ 1 d⁷i T-,g

R_d+ П. (Вд + K,)·-Mc* i d? ^а где

Ill R/l¹ _ 1 _ f.

R,l+ Rq Ы,1 + й,)·+ ** 4 ’ de*⁼ ‘ >

(D,—полный коэффициент детектирования для тока). Здесь Н₀—сопротивление нагрузки постоянному току, Н_л и х—активное и реактивное сопротивления для переменного тока. При приеме модулированной частотой F— ,^эдс сигнала вндас=Е(1+Мsini?/)sin ωί,

где М—коэфф. модуляции (смотрите Боковые частоты), слагаемая постоянного тока

ΔΙ=(l + “) D · Е*;

слагаемая низкой модулированной частоты (наиболее интересная для приема):

Hf= J/2· М D ЕК Интересные особенности действия кристаллического Д. заключаются в том, что он имеет весьма различную чувствительность для различных точек и ведет себя различно при высоких и низких частотах: измерения показывают, что при изменении волны с 300 до 2 000 Л1 отдаваемая мощность при постоянстве подводимой падает приблизительно на 20%, на волнах же в пределах от 2 000 до 0 000л результаты получаются постоянными,

ί вольт

Всякий Д. в действии ведет себя, как некоторый генератор (постоянного тока в случае детектирования незатухающих колебаний и переменного тока низкой частоты для модулированных колебаний), имеющий определенное внутреннее сопротивление. При этом кажущееся напряжение этого генератора, кроме прямой зависимости от подводимого напряжения высокой частоты, зависит также от сопротивления нагрузки. Кажущееся внутреннее сопротивление также зависит от подводимого напряжения и сопротивлении нагрузки. На фигуре 6 показаны кривые изменения внутреннего сопротивления R, и кажущейся эдс E_d от подводимого напряжения сигнала для галенового детектора и перикон-детектора.

Кпд кристаллического Д. Кри-сталлич. Д.— устройство, преобразующее мощность высокой частоты, получаемую от сигнала, в мощность постоянного тока (или мощность тока низкой частоты), выделяемую на сопротивление нагрузки. Поэтому качество кристаллическ. it- может быть определено кпд, при к-ром он производит это преобразование. Для всех амплитуд сигнала и величин сопротивления нагрузки выпрямленный ток может быть выражен следующим ур-ием общего характера:

Аг= --R,i + R

Мощность на сопротивлении R будет макси

мальной, когда R_d=И. Тогда W_max — *“4

Мощность, доставляемая сигналом, определится из уравнения:

где R/—действующее сопротивление детекторной цепи для токов высокой частоты при различных условиях нагрузки и при различных Е; If—амплитуда слагаемой тока основной высокой частоты при этих ж о условиях. Для малых E, lf— -^l-f_c Е. Сопротивлением R нагрузки можно пренебречь, так как параллельно R обычно включают т. н. бло-Фигура 7. кировочный конден сатор большой емкости, обеспечивающий для слагаемой тока высокой частоты низкое сопротивление.

На фигуре 7 показана зависимость величины Rf от R при различных Е для галенового Д.; для перикон-детектора изменения Rf имеют в общем аналогичный характер. Так, например, при Д=0, Rf =500 «, а при

R =4 000 й—уполнчивастся до 3 800 й. Зная Rf, можно вычислить кпд, то есть η - jj/. Па фигура 8 показаны кривые зависимости ή от R при различных Е для галенового Д., имеющего характеристики, показанные па фигура 1. На фигуре 8 для сравнения нанесены кри-выезависимости V_d от R. Из сопоставления

κριίΒΐ,ιχ можно видеть, что R для получения наибольшего кпд η значительно превосходит соответствующие R для получения максимального W,i и тем больше, чем больше Е. Различные Д. дают различные величины η. Ii табл. 1 показаны значения η для оптимальных величин R при различных Е.

Таблица 4. — Величины кпд η при р а з л и ч-н ы х Е.

Детекторы	Е (в вольтах)	Wd (в ваттах)	Оптим. R. (в омах) η (в Ь)
Гален.	0,1	1 * 10—* 0.09 -10-*	2 000--3 000 80—90 30 000 3
Периков.	1 0,1	0,1э -Ю-’ 0,02"·10-’	4 000—6 000 60—70 20 000 8

При Н постоянном, η с уменьшением Е бу-дет уменьшаться еще больше. ‘

Кпд у большинства Д. (особенно у карборундового Д.) зависит также от величины дополнительного постоянного напряжения, подведенного к его контакту. При дополнп-

V

ε

ФИГ. 9.

носятся к наиболее детектора, которые ла находят обычно тельном положительном напряжении на хпирите в0.45 V, кпд перикон-детек-тора равен 13%, а без дополнительного напряжения— 10%. Карборундовый Д. для дополнительного напряжения в 2,5 V на кристалле дает кпд 9,3% без дополнительного напряжения—1,4%. Все приведенные цифры от-чувствительным точкам для хорошего кристал-очень быстро.

Кпд для случая модули рованого тока определяется след. об)). Мощность выпрямленного тока для любых амплитуд при оптимальных условиях (сдвиг фазы между током и эдс равен 0) определится из выражения:

М· Jlp- КЕ*

_£i cie* ·

Здесь R_F—внутреннее сопротивление Д. для выпрямленного тока I_F, определяемое при малой Е из ур-ия ,! =

Кр

Ίι

ile

d’i

cie*

где постоянная слагаемая эдс на сопротивлении. 11а фигура 9 нанесены величины R_F в зависимости от Е несущей частота для галенового Д. и перикон-детектора. Мощность W_f высокой частоты при небольших М, что обычно и

Е~-

имеет место в практике, равна, откуда η=Ж² · К* RfRp. ^Г Па фигура 10 показаны кривые зависимости η от R при E — IV и М=15%. На той же фигура 10 для сравнения даны кривые зависимости Wр от R.

Конструкция кристаллического Д. Наиболее распространенная в СССР конструкция Д., принятая Электротрестом з-дов слабого тока, имеет вид, изображенный на фигуре 11. Для удобства установки контакта и обслуживания кристаллич. Д. к нему предъявляют обычно следующие требования: 1)пружинному острию должен быть обеспечена возможность передвижения в любое положение относительно кристалла;

2) место захвата пальцами подвижной части Д. с прикрепленным к нему острием должен быть возможно ближе к ак

тивному концу острия; 3) рычажная подвижная система Д. должна обладать по возможности равномерностью сопротивления всех шарниров и во всех направлениях (практически, наиболее удобны сферич. шарниры).

Кристалл запаивают в чашку помощью какого-либо легкоплавкого металла, наир, олова. Заграницей для этих целей применяют также сплав из 2 частей висмута, 1 части олова и 1 части свинца. Иногда, для предохранения от пыли, кристалл вместе с острием помещают в закрытый стеклянный футляр. Для возможности быстрой замены кристалла или для ТТ"¹ быстрого повертывания его в целях использования всех граней кристалла, рациональна пока Фигура 11. еще мало распространенная конструкция чашечки, обеспечивающая возможность зажатия не впаянного в

чашечку кристалла—обычно гайка с внутренним заплечиком по верхнему краю. Попытки конструирования Д. с нерегулирующ. контактами не дали реальных результатов.

Лит.: Лосев О. В., Светящийся нарОорундо-вый детектор и детектирование с кристаллами, «ТиТбП», 1927, т. 8, 5 (44), стр. 485; Лазовский А., К вопросу о конструкции кристаллич. детектора,

«ТиТбП», стр. 514; его же, Крнсталлпч. детектор, там же, 1926, т. 7. 1 {Si), 3 и л и т н н к свич С.,

0 детекторном деисттш радиотелеграфных яолно-укааателен. «ТиТСП», 1921, г, 2, 2; В a η n e i t z F. Taschenbuch tl. drahtl. Telegr. u. Telepli., n., 1927; Lenliardt II., Der Detektor u. seine Anwendung fiir Empfang, Verstlirkung u. Erzeugung elektrisclier Wellen, Hochirequenz-Tcehnik, R. 8, B. 1926: S t г a-c h a n J., The Chemistry a. Mineralogy of Crystals for Detectors, «"Wireless World a. Radio Review», 1,., 1924, v. 14: Bertrand. G а у r e 1 et Mass e-

1 i n, Comparaison do la detection par lampe et par galine, «L’onde ilectricpie». Paris. 1926, 59; с о I e tiro о k F. M. The Rectifying Detector, «Experimental Wireless a. Wireless Engineer», London. 1925, v. 2, IS—20; Dubois R., Etude expCrimentale de quel-ques procedes de detection des oscillations de haute frequence, «L’onde electrique», Paris, 1924, 30, 31; Chaffee E. L. a. Browing G. H. A Theoretical a. Experimental Investigation of Detection for Small Signals, «Proc. of the Inst, of Radio Engineers», N- Y., 1 927, v. 15, 2; Co Net P., Sur les proprietes detectrices de la galdne. «Λ. Ch.», Paris. 1921. 2.5, p. 265—361: Turner L. B., The Rectifier in Telephonic Receivers. «Electrician», L., 1926, v. 97. p. 288, 412, 556; Schleede A. u. Buggisch II., Der Kristalldetektor, «Jahrbuch d. drahtl. Telegr. u. Tc-Icph., B., 1927. B. 30, H. 6, p. 190. П. Нунсенио.